由于对低功耗、更高带宽、更高密度和更高保留率的强烈需求，内存芯片设计是智能手机的主要关注点之一。如今，客户对智能手机内存性能的需求与 pc 和移动数据存储相同。由于这些原因，包括三星和苹果在内的全球智能手机制造商已将具有更先进和尖端技术节点的存储设备用于低功耗 dram 和 nand 存储组件。
众所周知，dram供应商三星、美光、sk海力士都已经在市场上发布了d1z商用产品ddr4、lpddr4x或lpddr5。此外，美光 d1alpha; 是 dram 上最先进的技术节点，也是单元设计中使用的第一个 15 纳米以下技术。来到nand存储领域，商业产品有三星、铠侠、西部数据、sk海力士、美光、英特尔和长江存储的112l、128l、144l和176l芯片。
谈到中国智能手机品牌华为、荣耀、小米、oppo 和 vivo 是市场的大玩家。在智能手机上使用的低功耗移动dram组件方面，它们用了三大dram制造商制造的lpddr4x或lpddr5 dram芯片；三星、sk 海力士和美光。
此外，他们使用了先进的 10 纳米级 dram 节点，例如 d1y 和 d1z。例如，荣耀 x20 和 oppo a54 手机有美光 d1z 和三星 d1z lpddr4x。最先进的 lpddr5 设备也用于最新的中国智能手机，例如，小米 redmi k40 pro 和 vivo x70 手机具有 s-d1z lpddr5 芯片和 lpddr4x 三星芯片。
图 1. 近期发布的中国智能手机的低功耗移动 dram 组件和芯片细节；
华为、荣耀、小米、oppo、vivo。
作为参考，我们看看苹果 iphone 和三星 galaxy 手机，三星在 2021 年为 galaxy 21 系列发布了 d1z 代的 lpddr5 产品。苹果 iphone 13 系列使用 4gb 或 6gb lpddr4x ram是来自sk hynix d1y，搭配 a15 5 核 gpu仿生芯片。三星刚刚发布了 s22、s22 和 s22 ultra galaxy 手机，其中板载了三星 d1z 16gb lpddr5 芯片。
对于中国智能手机使用的nand存储组件，大多数情况下，他们使用主要nand芯片制造商的92l/96l和128l tlc 3d nand芯片。
去年年初，我们发现了一些 2d emmc nand 芯片，例如小米 redmi 9a 手机，但是目前中国所有智能手机都具有 emmc5.1 或 ufs 3.1 标准的 3d nand 组件。近期发布的oppo a54和部分荣耀手机采用emmc 5.1，其他手机采用ufs 3.1规范。
作为参考， apple iphone在 2021 年的 iphone 13、13pro 和 13pro max 的 128gb、256gb 和 512gb 组件上使用铠侠的领先存储。它们在每台设备中都配备了铠侠的 fxh8 112l 512gb 芯片。三星在 2021 年为 s21/21 /s21 ultra 搭配了 s-128l tlc nand 设备，并在 2022 年为 s22 系列组装了 s-128l tlc nand 设备。
图 2. 近期发布的中国智能手机的数据存储组件和芯片细节；华为、荣耀、小米、oppo、vivo。
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